| 電源產(chǎn)品的雷擊防制 |
| 雷擊是大自然界現(xiàn)象,當(dāng)雷擊中地面或障礙物時(shí),瞬間的突波電壓會(huì)藉由傳輸系統(tǒng)（如電力線/天線/網(wǎng)絡(luò)）等進(jìn)入電源產(chǎn)品（Power supply） ,此異常能量造成產(chǎn)品內(nèi)部的組件損毀。另外, 在現(xiàn)實(shí)生活中, 電源開關(guān)切換與插頭的插拔, 也有可能出現(xiàn)類似的瞬間的突波電壓。 為了驗(yàn)證產(chǎn)品對(duì)雷擊防制的耐受程度 , 因此IEC 針對(duì)不同的產(chǎn)品定出的雷擊測(cè)試規(guī)范（IEC-61000-4-5） , 表就針對(duì)不同產(chǎn)品所訂定的規(guī)范。 為了模擬雷擊波形與能量, 測(cè)試的方式主要分為以下兩種 開路電壓（open circuit voltage） （圖二） 與短路電流（short circuit current） （圖三） : 雷擊的測(cè)試項(xiàng)目主要針對(duì)電源火線（L）,地線（N）,地（E）進(jìn)行不同組合測(cè)試主要測(cè)試 項(xiàng)目有四種（L??E , N??E, L&N??E, L??N）, 般設(shè)計(jì)考慮上分為共模（Common Mode）與差模（Differential mode）兩大類, A. L??E , N??E, L&N??E 測(cè)試屬于共模（Common Mode） B. L??N 測(cè)試屬于差模（Differential mode） 以下是做雷擊測(cè)試時(shí)Common Mode 和Differential mode 的路徑如圖四所示 圖四 共模的雷擊對(duì)策: （Common Mode） 共模雷擊能量泄放路徑,（參考圖四綠線） ,先考慮跨初、次會(huì)因距離不足而造成其雷擊跳火或組件損壞的路徑有那些?（變壓器 /光耦合器 /Y-Cap）針對(duì)這三個(gè)組件選擇與設(shè)計(jì)考慮如下: 1. 變壓器: 因變壓器橫跨于初、次組件, 依照工作電壓有不同的安規(guī)距離要求, 般采用Class B 的等, 零件本身初次需通過(guò)Hi-POT 3000Vac , 需特別注意腳距離與鐵心的距離以及繞組每層膠帶數(shù)量是否絕緣強(qiáng)度。 2. 光耦合器: 組件本身的距離需安規(guī)的要求, layout 時(shí)零件下方不可有Trace 避免距離不足的問題。 3. Y-Cap: 本身的特是頻低阻抗的組件,當(dāng)共模雷擊測(cè)試時(shí),能量會(huì)通過(guò)Y-Cap所擺放的路徑, 因此layout 布局時(shí)半導(dǎo)體組件（PWM IC , TL431, OP…） GND trace 應(yīng)避開Y Cap 雷擊能量泄放路徑, 以避免成零件的損壞 差模的雷擊對(duì)策: （Differential） 雷擊能量流經(jīng)的路徑主要在橋式整流器前的L 和N 回路, 主要對(duì)策如下: Varistor（MOV） 或 Spark Gap（雷擊管）吸收等組件吸收并抑制能量流入power supply 內(nèi)部。 1. Thermistor （NTC） :串接于L or N 的路徑上,會(huì)增加回路的阻抗值,進(jìn)而降低進(jìn)入Power supply 的電流能量。 2.MOV（Metal Oxide Varistor ） :金屬氧化物或突波吸收器, 使用上并聯(lián)于L 和N 上,組件本身為個(gè)阻抗的組件,在般的情形下并不會(huì)有損耗產(chǎn)生,只有稍許的漏電流,當(dāng)瞬間的雷擊電位進(jìn)入電源輸入端且過(guò)MOV 的崩潰電壓,此時(shí)產(chǎn)生抑制電壓的動(dòng)作,而讓瞬間上升電流流經(jīng)MOV 本身進(jìn)行能量吸收,降低雷擊的能量進(jìn)入Power Supply 本身。 3. Spark Gap or Gas Discharge Tube : 使用上并聯(lián)于Common Choke 同次側(cè)的兩端,針對(duì)雷擊所產(chǎn)生的動(dòng)作保護(hù)原理當(dāng)瞬間的電位在Common Choke 兩端過(guò)其額定的電壓時(shí)會(huì)激發(fā)惰氣體, 此時(shí)Spark Gap 會(huì)產(chǎn)生電弧放電,將突波的能量抑制下來(lái),不讓大量的能量進(jìn)入Power Supply , 4. 在layout 上規(guī)劃出鋸齒狀的銅箔形式,兩端距離約1mm,當(dāng)Common Choke 兩端的壓差太大時(shí),產(chǎn)生放電的現(xiàn)象,將能量進(jìn)而宣泄。 除了上述設(shè)計(jì)上所應(yīng)注意的地方之外, Layout 上如何達(dá)到對(duì)電擊的防制亦是重要環(huán) 1. 地線（Ground） 的處理,如圖五所示, A. 次側(cè)的部分,Ground 的layout 順序大電容的Ground ->??Current -> sensor ->??Y-Cap??次側(cè)變壓器輔助繞組Vcc 電容的Ground ->??PWM IC 外圍 組件的ground ->??PWM IC 的ground 。 B. 二次側(cè)的部分:1. TL431 的地接至第二輸出電容的地。 C. 二次側(cè)Y-cap 的出腳接至二次側(cè)變壓器的ground 。 圖五 2. 正端壓部分的處理, 如圖六所示。 圖六 A. L,N 兩線距離2.5mm以上及與E 的距離在4mm以上。 B. 壓的銅箔與低壓的銅箔距離在1.5mm以上。 C. 、二次側(cè)的距離在6mm以上。 4. PWM IC layout 的注意事項(xiàng) ,因PWM IC 相較于其它的組件而言是屬于比較脆弱且易損傷的組件, ,舉例筆者所任職通嘉科技（Leadtrend Technology Corp.）的PWM IC LD7576 產(chǎn)品做個(gè)說(shuō)明（客戶power board 實(shí)測(cè)可通過(guò)6KV surge）,在般的PWM IC 都會(huì)定義每支腳位所能承受的zui大電位及負(fù)向電壓如圖七所示,所以開始layout 其組件的擺置相形重要。 1. Vcc 的電解電容及陶瓷電容。 2. Cs pin 的陶瓷電容。 3. CT pin 的陶瓷電容。 4. COMP pin 的陶瓷電容。 以上電容都要盡量要靠近IC,以防止瞬間電壓進(jìn)入PWM IC（尤其是負(fù)電壓）。再來(lái)就Ground 的處理, 先將PWM IC 之 CT / CS / COMP GND 接在起后,單點(diǎn)進(jìn)入IC GND,再接至Vcc 電解/陶瓷電容的Ground zui后再接至輔助繞組的Ground。 Absolute Maximum Ratings Supply Voltage VCC -0.3V~30V High-Voltage at HV pin -0.3V~600V COMP, CT, CS -0.3V~7V 對(duì)于layout ground 的部分用實(shí)例來(lái)解釋如圖八所示, Ground 的layout 準(zhǔn)則 1. Current sense 電阻直接回到大電容的地。 2. 由大電容的地先到變壓器的地再到輔助繞組 Vcc 電解電容的地。 3. 由輔助繞組 Vcc 電解電容再分出去給光耦合器的地及IC 外圍陶瓷電容的地,zui后接到PWM IC 的地。 撰寫本文的目的是將筆者這幾年在設(shè)計(jì)電源供應(yīng)器上針對(duì)雷擊防制上的經(jīng)驗(yàn)上做個(gè)匯整能夠?qū)δ壳罢龔氖掠赑ower Supply 設(shè)計(jì)的専業(yè)人員有些幫助。 |
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